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MR4A16BCYS35一款16位的並口並行總線MRAM 非易失性芯片

2018-05-18 10:03:53

Everspin MR4A16B 16Mb並行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期,並擁有出色耐久性。

MR4A16B由1,048,576字 x 16位構成。對於這款MRAM來說,數據保持期長達20年以上而不會丟失,並會在掉電時由低壓抑製電路自動提供保護,以防止在非工作電壓期間寫入。
 
MR4A16B采用48引腳球柵陣列 (BGA) 小型封裝和54引腳微小外形封裝 (TSOPII)。
 
這款器件能夠在商業級(0至+70 °C)、工業級(-40至+85 °C)與擴展級(-40至+105 °C)溫度範圍內工作,並在整個溫度範圍內保持高度可靠的數據存儲能力。
 

本文關鍵詞:並行MRAM

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